Design and fabrication of quantum dot single electron transistors using scanning electron microscopy-based electron-beam nanolithogrphy
Quantum dot single-electron transistor (QD SET) is a nanoscale device operated at very low temperature. To fabricate QD SET operated at room temperature, QD must be fabricated in diameter of 10 nm. QD SET promises very small integrated circuits with ultralow-power consumption. In this research, a QD...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Sutikno |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/22189/1/Page%201-24.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/22189/2/Full%20Text.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Numerical and experimental studies of backgating in high electron mobility transistors /
بواسطة: Lee, Kin Man
منشور في: (1995) -
Synthesis and optical properties of PbS/MnS core shell quantum dots
بواسطة: Zaini, Muhammad Safwan
منشور في: (2019) -
Structural and optical properties of PbS and PbS/MnTe core/shell quantum dots
بواسطة: Halim, Nur Diyana
منشور في: (2021) -
Parametric optimization in quantum dot-sensitized solar cells for efficiency enhancement /
بواسطة: Jun, Hieng Kiat
منشور في: (2014) -
Investigation of the effects of phonons on the characteristics of semiconductor quantum dot based structures /
بواسطة: Nahri, Davoud Ghodsi
منشور في: (2017)