Development and fabrication of Ion-sensitive Field Effect Transistor (ISFET) for pH detection, DNA immobilization and hybridization

The fabrication of ion sensitive field-effect transistor (ISFET) using silicon nitride (Si3N4) as the sensing membrane is reported. The operation of ISFET is based on the surface charge adsorption of the membrane-solution interface. This thesis describes the design, fabrication and characterization...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Chong, Soon Weng
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/31211/1/Page%201-24.pdf
http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/31211/2/Full%20text.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!