Performance improvement of optoelectronic devices using Group III Nitride based quantum dot
Quantum dot has become a subject of incredible interest in the field of semiconductor optoelectronic device design for the researchers due to some of their unique properties. Among the wide range of optoelectronic devices some important characteristics of solar cell and laser have been studied ex...
محفوظ في:
| التنسيق: | أطروحة |
|---|---|
| اللغة: | English |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/72234/1/Page%201-24.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/72234/2/Full%20text.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!