Thermal-mechanical analysis of bonding pad in insulated gate bipolar transistor.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Thermal-mechanical Analysis of Bonding Pad in Insulated Gate Bipolar Transistor.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Thermal-mechanical Analysis of Bonding Pad in Insulated Gate Bipolar Transistor.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.