Rf-Mbe Growth Of Iii-Nitrides Heterostructures For Light Detecting Applications
Dalam penyelidikan ini, GaN p-n struktur homo, AlN/GaN struktur hetero, dan AlxGa1-xN/GaN struktur hetero telah berjaya ditumbuhkan di atas substrat silikon (Si) (111) menerusi epitaksi alur molekul plasma terbantu (MBE) untuk aplikasi pengesan foto. Galium (7N) dan aluminium (6N5) dengan ketulen...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Thesis |
| Language: | English |
| Published: |
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://eprints.usm.my/31760/1/MOHD_ZAKI_BIN_MOHD_YUSOFF_24%28NN%29.pdf |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|