Device simulation of the electrical characteristics in 14nm gaussian channel junctionless finfet
In conventional FinFET, it becomes difficult to define the doping concentration of material over a distance shorter than 10nm and produce high-quality junctions for sub 20nm regime which leads to short channel effects. Hence, Junctionless FinFET which offers architecture, free from any p-n junction...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2022
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/102170/1/MathangiRamakrishnanMSKE2022.pdf.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|