Arithmetic logic unit design for silicon nanowire field-effect transistors logic

Arithmetic logic unit design for silicon nanowire field-effect transistors logic

As dimensions of conventional planar metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) are reduced, it cause a lot challenging issue such as short-channel effects (SCEs), scaling of gate oxide thickness and increase power consumption. Multigate such as double gate, tri-gate, surrounding gat...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Mohd. Munir Zahari, Nor Hafizah
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2015
الموضوعات:
TK Electrical engineering
Electronics Nuclear engineering
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.utm.my/id/eprint/78312/1/NorHafizahMohdMunirZahariMFKE20151.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة