Pan, J. S. (1997). Surface modification of Si, GaAs and and InP by 1-10 keV Ar+ and N2+ ion bombardment.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Pan, Ji Sheng. Surface Modification of Si, GaAs and and InP by 1-10 KeV Ar+ and N2+ Ion Bombardment. 1997.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Pan, Ji Sheng. Surface Modification of Si, GaAs and and InP by 1-10 KeV Ar+ and N2+ Ion Bombardment. 1997.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.