Surface modification of Si, GaAs and and InP by 1-10 keV Ar+ and N2+ ion bombardment /

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Pan, Ji Sheng
التنسيق: أطروحة كتاب
اللغة:English
منشور في: 1997.
الموضوعات:
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
الوصف
وصف مادي:xi, 214 leaves : ill. ; 30 cm.
بيبلوغرافيا:Includes bibliographical references.