Investigation of hot-carrier-induced interface-traps by DCIV method /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ng Kok Hooi |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1999.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Investigation of hot-carrier degradation in surface and buried channel pmosfets/
بواسطة: Kok, Chee Kean
منشور في: (2000) -
Electrical characterization of bulk traps and interface traps in the fully-depleted SOI MOSFET /
بواسطة: Lun, Zhao
منشور في: (2002) -
A study of hot carrier degradation in LDMOS transistor /
بواسطة: Atikah Razi
منشور في: (2013) -
Impact of fabrication process on hot carrier injection in VDMOS transistor /
بواسطة: Murti, Wijaya Bayu
منشور في: (2013) -
Instrumentation development of an automated integrated test system (AITS) for the characterization of hot-carrier and oxide reliability /
بواسطة: Ng Tsu Hau
منشور في: (2000)