Tunneling in reliability study of MOS structures /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ma, Siguang |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1999
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Characterization and reliability investigatigation of eeprom tunnel oxide /
بواسطة: Lai, Kah Keen
منشور في: (2001) -
Effect of X-ray lithography on MOS device reliability /
بواسطة: Kim, Sun Jung
منشور في: (2001) -
Reliability investigation of MOS devices under high current impulse stressing /
بواسطة: Teh, Gim Leong
منشور في: (1998) -
Flicker noise characterization of trapping effects in submicrometer Mos transistors /
بواسطة: Yeo, Boon Pian
منشور في: (1998) -
I-V hysteresis characterization of deep-submicron mos devices /
بواسطة: Xia, Jinghua
منشور في: (2002)