Comparison of Ta2O5 capacitors on Si with and without rapid thermal nitridation /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Zhang, Guangyu |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1999.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
The application of rapid thermal annealing to reduce leakage current of Ta2O5 /
بواسطة: Qian, Pengwei
منشور في: (1999) -
Investigation on thermo-physical properties and thermal-hydraulic performance of TiO2-SiO2 nanofluids
بواسطة: Muhammad Nabil Fikri, Mohamad
منشور في: (2018) -
Development Of SiO2 On 4H-SiC By Direct Thermal Oxidation And Post Oxidation Annealing In HNO3 & H2O Vapour
بواسطة: Banu , Poobalan
منشور في: (2014) -
Cathodoluminescence from SiO2-Si structures /
بواسطة: Liu, Xu
منشور في: (1996) -
Al-Ta2O5-GaN
Semiconductor Device Structure
بواسطة: Yeoh, Lai Seng
منشور في: (2014)