Investigation of hot-carrier degradation in surface and buried channel pmosfets/
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Kok, Chee Kean |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
2000.
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A study of hot carrier degradation in LDMOS transistor /
بواسطة: Atikah Razi
منشور في: (2013) -
A study on the hot-carrier degradation of wide and narrow channel nmosfet devices with recessed-locos isolation structures /
بواسطة: Yue, Jeffrey Mun Pun
منشور في: (2000) -
Investigation of hot-carrier-induced interface-traps by DCIV method /
بواسطة: Ng Kok Hooi
منشور في: (1999) -
Characterization of pmosfet degradation in negative bias temperature instability test /
بواسطة: Soon, Foo Yew
منشور في: (2012) -
Characterization of hot-carrier degradation in submicrometer MOS transistors /
بواسطة: Ang, Diing Shenp
منشور في: (1997)