Simulation of 0.1um Mos devices for logic and memory technologies /

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书目详细资料
主要作者: Poh, Francis Yong Wee
格式: Thesis 图书
语言:English
出版: 2002.
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实物特征
实物描述:xv, 166 leaves : ill. ; 30 cm.
参考书目:Bibliography: leaves 113-137.