Process integration issues of self-aligned titanium silicide technology (Ti-Salicide) in deep sub-micron CMOS devices fabrication /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lim, Chong Wee |
---|---|
التنسيق: | أطروحة كتاب |
اللغة: | English |
منشور في: |
1998.
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Integration of self-aligned silicide (salicide) process for sub-0.25 [mu]m CMOS technology /
بواسطة: Ho, Chaw Sing
منشور في: (2002) -
Device Characterization of 0.8-µm CMOS Technology
بواسطة: Kooh, Roy Jinn Chye
منشور في: (2000) -
A study of stress in backend metallization in ULSI devices /
بواسطة: Goh, Chia Lan
منشور في: (2006) -
A study on integrated circuits I-V characteristics using fault localization system /
بواسطة: Quah, Larry Thiam Soon
منشور في: (1995) -
Defectivity improvement in advanced processes and its investigation to negative bias temperature instabilities in High-K/Metal-Gate Deep-Submicron CMOS /
بواسطة: Yasmin Abdul Wahab
منشور في: (2015)